邱成供應(yīng)Knowles Voltronics電容器A1F4HV
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)表面層陶瓷電容器 電容器的微小型化,即電容器在盡可能小的體積內(nèi)獲得盡可能大的容量,這是電容器發(fā)展的趨向之一。對(duì)于分離電容器組件來(lái)說(shuō),微小型化的基本途徑有兩個(gè):①使介質(zhì)材料的介電常數(shù)盡可能提高;②使介質(zhì)層的厚度盡可能減薄。在陶瓷材料中,鐵電陶瓷的介電常數(shù)很高,但是用鐵電陶瓷制造普通鐵電陶瓷電容器時(shí),陶瓷介質(zhì)很難做得很薄。首先是由于鐵電陶瓷的強(qiáng)度低,較薄時(shí)容易碎裂,難于進(jìn)行實(shí)際生產(chǎn)操作,其次,陶瓷介質(zhì)很薄時(shí)易于造成各種各樣的組織缺陷,生產(chǎn)工藝難度很大。
表面層陶瓷電容器是用BaTiO3等的表面上形成的很薄的絕緣層作為介質(zhì)層,而半導(dǎo)體陶瓷本身可視為電介質(zhì)的串聯(lián)回路。表面層陶瓷電容器的絕緣性表面層厚度,視形成方式和條件不同,波動(dòng)于0.01~100μm之間。這樣既利用了鐵電陶瓷的很高的介電常數(shù),又有效地減薄了介質(zhì)層厚度,是制備微小型陶瓷電容器一個(gè)行之有效的方案。
在半導(dǎo)體陶瓷表面形成表面介質(zhì)層的方法很多,這里僅作簡(jiǎn)單介紹。在BaTiO3導(dǎo)體陶瓷的兩個(gè)平行平面上燒滲銀電極,銀電極和半導(dǎo)體陶瓷的接觸介面就會(huì)形成極薄的阻擋層。由于A(yíng)g是一種電子逸出功較大的金屬,所以在電場(chǎng)作用下,BaTiO3導(dǎo)體陶瓷與Ag電極的接觸介面上就會(huì)出現(xiàn)缺乏電子的阻擋層,而阻擋層本身存在著空間電荷極化,即介面極化。這樣半導(dǎo)體陶瓷與Ag電極之間的這種阻擋層就構(gòu)成了實(shí)際上的介質(zhì)層。
這種電容器瓷件,先在大氣氣氛中燒成,然后在還原氣氛中強(qiáng)制還原半導(dǎo)化,再在氧化氣氛中把表面層重新氧化成絕緣性的介質(zhì)層。再氧化層的厚度應(yīng)控制適當(dāng)。若氧化膜太薄,電極和陶瓷間仍可呈現(xiàn)pn結(jié)的整流特性,絕緣電阻和耐電強(qiáng)度都得不到改善。隨著厚度的逐漸增加,pn結(jié)的整流特性消失,絕緣電阻提高,對(duì)直流偏壓的依存性降低。但是,再氧化的時(shí)間不宜過(guò)長(zhǎng),否則可能導(dǎo)致陶瓷內(nèi)部重新再氧化而使電容器的容量降低。還原處理的溫度為800~1200℃,再氧化處理的溫度為500~900℃。經(jīng)還原處理后的陶瓷材料,絕緣電阻率可降至10~103Ω·cm,表面層的電阻率低于內(nèi)部瓷體的電阻率;薄瓷片的電阻率,一般比處理?xiàng)l件相同的較厚瓷體的電阻率低一些。由于再氧化處理形成的表面絕緣性介質(zhì)層的厚度比較薄,所以盡管其介電常數(shù)不一定很高,但是經(jīng)還原再氧化處理后,該表面層半導(dǎo)體陶瓷電容器的單位面積容量仍可達(dá)0.05~0.06μF/cm2。
晶界層陶瓷電容器 發(fā)育比較充分的BaTiO3半導(dǎo)體陶瓷的表面上,涂覆適當(dāng)?shù)?/span>(例如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等),在適當(dāng)溫度下,于氧化條件下進(jìn)行熱處理,涂覆的氧化物將與BaTiO3形成低共溶液相,沿開(kāi)口氣孔和晶界迅速擴(kuò)散滲透到陶瓷內(nèi)部,在晶界上形成一層薄薄的固溶體絕緣層。這種薄薄的固溶體絕緣層的電阻率很高(可達(dá)1012~1013Ω·cm),盡管陶瓷的晶粒內(nèi)部仍為半導(dǎo)體,但是整個(gè)陶瓷體表現(xiàn)為顯介電常數(shù)高達(dá)2×104到8×104的絕緣體介質(zhì)。用這種瓷制備的電容器稱(chēng)為晶界層陶瓷電容器,簡(jiǎn)稱(chēng)BL電容器。
常見(jiàn)品牌型號(hào)如下:
BENZING 型號(hào): 6799G07,00-61
Walther 型號(hào): MD-006-2-WR013-19-1
Rexroth 型號(hào): 820048002
Gemue 型號(hào): 1215000Z1110
PULSOTRONIC 型號(hào): KJ4-M12MN50-DPS-V2 ID:7822265
PULSOTRONIC 型號(hào): 9982-2265
Staubli 型號(hào): STA06.1101/MIK
Stabilus 型號(hào): Nr.094358
Rexroth 型號(hào): 820048002
Walther 型號(hào): MD-006-2-WR013-19-1
ERSA 型號(hào): 186541
Staubli 型號(hào): STA06.1101/MIK
Stabilus 型號(hào): Nr.094358
BENZING 型號(hào): 6799G06,00-61
Staubli 型號(hào): STA06.1101/MIK
BENZING 型號(hào): 6799G04,00-61
BENZING 型號(hào): 6799G03,20-61
BENZING 型號(hào): 6799G07,00-61
Stabilus 型號(hào): Nr.094358
Walther 型號(hào): MD-006-2-WR013-19-1
PULSOTRONIC 型號(hào): KJ4-M12MN50-DPS-V2 ID:822265
PULSOTRONIC 型號(hào): 9982-2265
Staubli 型號(hào): STA06.1101/MIK
Stabilus 型號(hào): Nr.094358
Phoenix 型號(hào): CUTFOX-S VDE - 1212207
Euchner 型號(hào): 89420
Phoenix 型號(hào): CUTFOX-S VDE - 1212207
Euchner 型號(hào): 89420
Euchner 型號(hào): 89420
Phoenix 型號(hào): CUTFOX-S VDE - 1212207
Beta 型號(hào): M3V-KET-PS6-SI Nr:BS22001
Phoenix 型號(hào): CUTFOX-S VDE - 1212207
APEX 型號(hào): 48-TSQ-12M
Phoenix 型號(hào): CUTFOX-S VDE - 1212207
APEX 型號(hào): 48-TSQ-12M
Celsa 型號(hào): EQ48n 100/200/5A(EQ48 0-100/5A)
Celsa 型號(hào): EQ48n 100/200/5A(EQ48 0-100/5A)
IBC 型號(hào): 3208.AP
megatron-munchen 型號(hào): MP 20 R1K W15% L1%